，三星电子今天宣布，已经成功开发了其首款采用12纳米技术的16gb ddr5 dram，并完成了与amd兼容性的产品评估。
图来自三星电子，下同
三星表示，这一技术突破是通过使用一种新的高介电材料来增加电池电容，并改善关键电路特性的专利设计技术来实现的。
三星数据显示，结合先进的多层极紫外光刻技术，新的dram拥有三星最高的管芯密度，可将晶圆生产率提高20%。
基于ddr5的最新标准，三星的12纳米dram将解锁高达每秒7.2千兆位的速度，这意味着一秒钟可以处理两部30gb的超高清电影。
能效方面，与上一代三星dram产品相比，12nm dram功耗降低约23%。
本站了解到，伴随着2023年新型dram的量产，三星计划将这款基于先进12nm制程技术的dram产品扩展到更广阔的市场。
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